MIS型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-308681
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120952
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】帰還容量の増大や、耐圧とオン抵抗のトレードオフの悪化を招くことなく、ゲート電極に低抵抗の配線を接続してゲート抵抗を低減すること。【解決手段】n+ソース領域4とnドリフト領域5との間のpベース領域の表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極1が設けられたMIS型半導体装置において、n+ソース領域4、nドリフト領域5およびゲート電極1を上から見たときのゲート電極1の所々に、nドリフト領域5側には幅が広がらずに、n+ソース領域4側に幅が広がった複数の拡幅部2を設ける。そして、この拡幅部2において接続部3を介して、ゲート電極1を、ゲート電極1よりシート抵抗の低い材料よりなる配線に接続することによって、帰還容量として寄与するゲート-ドレイン間容量を増やしたり、耐圧とオン抵抗のトレードオフの悪化を招いたりすることなく、ゲート抵抗を低減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のソース領域と第1導電型ドリフト領域との間の第2導電型のベース領域の表面上に絶縁膜を介してゲート電極が設けられたMIS型半導体装置において、前記ソース領域、前記ドリフト領域および前記ゲート電極を上から見たときに、前記ゲート電極は、前記ドリフト領域側には幅が広がらずに、前記ソース領域側に幅が広がった複数の拡幅部を有し、該拡幅部において接続部を介して、前記ゲート電極よりシート抵抗の低い材料よりなる配線に接続していることを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/41 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/768

FI (9件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 652F , H01L29/78 652K , H01L29/78 652L , H01L29/58 G , H01L29/44 P , H01L21/88 A , H01L21/90 A , H01L29/78 301W

Fターム (31件)：

4M104CC05 , 4M104FF11 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033MM21 , 5F033UU03 , 5F033VV06 , 5F033XX10 , 5F033XX24 , 5F140AA01 , 5F140AA11 , 5F140AA26 , 5F140AA30 , 5F140AC23 , 5F140BD18 , 5F140BF47 , 5F140BF51 , 5F140BF52 , 5F140BF54 , 5F140BF58 , 5F140BH02 , 5F140BH14 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ25 , 5F140CA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2924520号公報
半導体装置,その設計方法及び半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-319591 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (9件)

横形MOSトランジスタデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-529357 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
半導体装置およびその製造方法並びに半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-288075 出願人：セイコーエプソン株式会社
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-026967 出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る