特許
J-GLOBAL ID：201703020166930919
基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
振角 正一
, 大西 一正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-061750
公開番号（公開出願番号）：特開2017-175049
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：
【課題】基板表面で昇華性物質を含む溶液から溶媒成分を蒸発させた後に昇華性物質を昇華させる基板処理技術において、短いタクトタイムで、かつ優れたエネルギー効率で処理を行うことのできる技術を提供する。【解決手段】第1チャンバーと、第1チャンバー内で、基板の表面に昇華性を有する昇華性物質を含む溶液の液膜Pを形成する液膜形成部と、液膜Pが形成された基板Wを受け入れる第2チャンバー30と、第2チャンバー30内に設けられ上面に基板Wを載置可能なプレート部311と、プレート部の上面を所定温度に昇温制御する温度制御部312,335と、プレート部311に載置された基板W上で溶液から析出した昇華性物質を加熱して昇華させる加熱部322とを備える基板処理装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1チャンバーと、
前記第1チャンバー内で、基板の表面に昇華性を有する昇華性物質を含む溶液の液膜を形成する液膜形成部と、
前記液膜が形成された前記基板を受け入れる第2チャンバーと、
前記第2チャンバー内に設けられ上面に前記基板を載置可能なプレート部と、
前記プレート部の上面を所定温度に昇温制御する温度制御部と、
前記プレート部に載置された前記基板上で前記溶液から析出した前記昇華性物質を加熱して昇華させる加熱部と
を備える基板処理装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 651M
, H01L21/304 651Z
5F157AA09
, 5F157AB02
, 5F157AB33
, 5F157AB44
, 5F157AB51
, 5F157AB90
, 5F157AC03
, 5F157AC53
, 5F157BB11
, 5F157CB22
, 5F157CB24
, 5F157CE72
, 5F157CF34
, 5F157CF42
, 5F157DA21
