特許
J-GLOBAL ID:201703020284177257
仕上研磨用定盤、仕上研磨装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 及川 周
, 伏見 俊介
, 齋藤 崇暢
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-026048
公開番号(公開出願番号):特開2017-144495
出願日: 2016年02月15日
公開日(公表日): 2017年08月24日
要約:
【課題】作業者の熟練度に因らず、研磨試料でのダレ防止、硬度差による領域ごとの研磨不均等防止を図る。【解決手段】研磨試料8面に対して平面性の高い研磨をするための柔軟な研磨フィルム7を用いた仕上研磨用定盤1において、柔軟な研磨フィルムを搭載する平面形状の板体2からなる定盤の研磨面には、複数の島状の島状凸部5と該島状凸部の間に連続した溝状となる溝状凹部3とが設けられる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
研磨試料面に対して平面性の高い研磨をするための柔軟な研磨フィルムを用いた仕上研磨用定盤において、
前記柔軟な研磨フィルムを搭載する平面形状の板体からなる定盤の研磨面には、複数の島状の島状凸部と該島状凸部の間に連続した溝状となる溝状凹部とが設けられることを特徴とする仕上研磨用定盤。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
3C158AA07
, 3C158AA09
, 3C158AA14
, 3C158AA16
, 3C158CB01
, 3C158CB04
, 3C158CB07
, 3C158DA02
, 3C158EA11
, 3C158EB01
, 3C158EB05
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開昭60-228070
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特開昭60-228070
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半導体ウェーハの研磨用定盤
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-049158
出願人:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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平面研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-122276
出願人:東芝機械株式会社
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特開昭61-241059
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特開昭61-241059
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仕上研磨用定盤
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-116519
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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研磨方法と研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-093861
出願人:ソニー株式会社
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特開昭59-001161
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特開昭59-001161
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