特許
J-GLOBAL ID：201703020657627223
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉川 修一
, 傍島 正朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-554137
特許番号：特許第6082911号
出願日： 2013年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を間に介して、前記ゲート電極と対向する半導体層と、
前記半導体層上に位置する、有機材料を含むエッチストッパ層と、
互いに対向して配置され、前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記エッチストッパ層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域における表面層が変質することによって生成された、少なくとも一部が前記半導体層と接する変質層を有し、
前記変質層は、前記エッチストッパ層の材料と前記半導体層を区画するときのドライエッチングの原料ガスとが結びついた層であり、
前記半導体層の欠陥密度をNt(cm-3)とし、前記エッチストッパ層における前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域の端部のテーパ角をθ(°)とすると、
Log10Nt≦0.0556θ+16.86
の関係式を満たす、
薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H05B 33/08 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
H01L 29/78 619 A
, H05B 33/08
, H05B 33/14 A
, H05B 33/10
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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