特許
J-GLOBAL ID：201703020826660022
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-187364
公開番号（公開出願番号）：特開2013-068940
特許番号：特許第6050054号
出願日： 2012年08月28日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 nチャネル型のトランジスタと、発光素子と、第1の配線と、第1の配線の電位を制御する機能を有する駆動回路と、第2の配線と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチと、第4のスイッチと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、
前記第1のスイッチは、前記第1の配線と前記第1の容量素子の一対の電極のうちの一方との間の導通又は非導通を選択する機能を有し、
前記第1の容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第2の容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、前記第1の容量素子の一対の電極のうちの他方と、前記nチャネル型のトランジスタのソース及びドレインの一方との間の導通又は非導通を選択する機能を有し、
前記第1の容量素子の一対の電極のうちの他方は、前記nチャネル型のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のスイッチは、前記第1の容量素子の一対の電極のうちの一方と、前記nチャネル型のトランジスタのソース及びドレインの他方との間の導通又は非導通を選択する機能を有し、
前記第2の容量素子の一対の電極のうちの他方は、前記発光素子のアノードと電気的に接続され、
前記nチャネル型のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記発光素子のアノードと電気的に接続され、
前記第4のスイッチは、前記第2の配線と、前記nチャネル型のトランジスタのソース及びドレインの一方との間の導通又は非導通を選択する機能を有し、
前記駆動回路は、前記第1の配線の電位が前記発光素子のカソードの電位以下となるような期間を有するように、前記第1の配線の電位を制御し、
前記期間は、第1の期間と第2の期間とを有し、
前記第1の期間と前記第2の期間において、前記第1の配線の電位は、前記駆動回路により初期化電位に制御され、
前記第1の期間において、前記第1乃至前記第4のスイッチは、導通状態であり、
前記第2の期間において、前記第1乃至前記第3のスイッチは、導通状態であり、前記第4のスイッチは、非導通状態であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
G09G 3/3233 ( 201 6.01)
, G09G 3/30 ( 200 6.01)
, G09G 3/20 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
G09G 3/323
, G09G 3/30 K
, G09G 3/20 624 B
, G09G 3/20 642 A
, G09G 3/30 J
, G09G 3/20 611 H
, G09G 3/20 670 J
, G09G 3/20 680 G
, G09G 3/20 641 D
, G09G 3/20 642 C
, G09G 3/20 611 F
, H05B 33/14 A
