研究者

J-GLOBAL ID：201801003399053797 更新日: 2020年10月16日

松尾直人

マツオナオト | Matsuo Naoto

所属機関・部署：
職名：特任教授

研究分野 (4件)：ナノバイオサイエンス , 電子デバイス、電子機器 , 結晶工学 , 電気電子材料工学

研究キーワード (5件)： DNAトランジスタ , 半導体デバイス , 半導体物性 , 薄膜トランジスタ , IV族半導体

競争的資金等の研究課題 (3件)：

2012 - 2015 DNAを活性層とする電荷保持素子の研究
2008 - 2009 レーザ・プラズマ軟X線によるSi結晶化薄膜の作製と基礎評価に関する研究
2007 - 2009 軟X線によるナノSi核形成と連続したレーザ照射による低温結晶化のダイナミクス

論文 (24件)：

松尾直人, 部家彰, 浜田弘喜. Technology Trend of Poly-Si TFT from Viewpoints of Crystallization and Device Performance (Invited). ECS Transactions. 2018. 86. 11. 29-39
松尾直人, 部家彰. グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討. 電子情報通信学会論文誌. 2018. 101. 7. 287-289
部家彰, 松尾直人. Guidelines for bottom-up approach of nanocarbon film formation from pentacene using heated tungsten on quartz substrate without metal catalyst. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 04FL03-1-04FL03-5
部家彰, 松尾直人, 神田一浩. Low temperature activation of boron ion in silicon substrate using B10H14+ cluster and soft x-ray irradiation. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 116502-1-116502-6
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao. Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted(similar to 400 degrees C) Si seeded-pulse-laser annealing. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2017. 70. 8-11

もっと見る

特許 (10件)：

半導体結晶膜の製造方法とそれを用いた装置
電界効果型半導体装置の製造方法
半導体基板の製造方法
半導体記憶装置、及びその製造方法(米国特許)
半導体メモリー装置、及びその製造方法(米国特許)

もっと見る

書籍 (3件)：

MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications
Wiley-IEEE 2016
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発ーシステムオンパネルをめざしてー
シーエムシー出版 2007
半導体デバイス-動作原理に基づいて
コロナ社 2000 ISBN:4339007269

講演・口頭発表等 (4件)：

Technology Trend of Poly-Si TFT from Viewpoints of Crystallization and Device Performance (Invited)
(ECS American Intern. Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES),Thin Film Transistor Technologies 14 2018)
Poly-Si TFT Technology from Viewpoints of Low-Temperature Crystallization and High-Performance Device (Invited)
(SID The 18th International Meeting on Information Display 2018)
Low Temperature Crystal Growth of Group IV Thin Film on Insulator and High-Performance TFT (Invited)
(IEICE Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2018)
Novel DNA/Si-MOSFET and Its Application (Invited)
(JSAP Intern. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD), Workshop of Technologies for Sensor Devices 2017)

学歴 (2件)：

1978 - 1980 京都大学大学院工学研究科修士課程金属加工学専攻
1974 - 1978 京都大学工学部金属系

学位 (1件)：

博士(工学) (京都大学)

経歴 (4件)：

2003/10 - 現在姫路工業大学教授,兵庫県立大学教授
1994/02 - 2003/09 山口大学工学部電気電子工学科助教授
1992/10 - 1994/01 京都大学研究員電子物性部門
1980/04 - 1992/09 松下電器産業(株)中央研究所,半導体研究センター

委員歴 (1件)：

2014/04 - 2016/03 公社日本金属学会第3分科(情報電子材料)委員長

受賞 (4件)：

2014/09 - 公益社団法人日本金属学会学術貢献賞
2013/05 - 大阪大学接合科学共同利用・共同研究賞
2011/01 - IEEE関西支部 IEEE関西支部メダル
2010/05 - IEEE Senior Member

所属学会 (4件)：

米国電気電子学会 , 電子情報通信学会 , 日本金属学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM