Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/n-,p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価

福田清貴; 福田清貴; 浅井祐哉; 関慶祐; SANG Liwen; 吉越章隆; 上殿明良; 石垣隆正; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹; 角谷正友

文献

J-GLOBAL ID：201802211152446067 整理番号：18A1698778

Al₂O₃/n-,p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価

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資料名：
巻： 79th ページ： ROMBUNNO.19p-CE-16 発行年： 2018年09月05日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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Al2O3/n-,p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価

Al₂O₃/n-,p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価