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J-GLOBAL ID：201802212148307634   整理番号：18A0618695

溶融石英,ほうけい酸塩及びアルミノけい酸塩ガラス基板の高アスペクト比エッチングのための改良誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングプロセス【Powered by NICT】

Modified inductively coupled plasma reactive ion etch process for high aspect ratio etching of fused silica, borosilicate and aluminosilicate glass substrates

著者 (2件)： Zhang Chenchen (School of Electrical Engineering and Computer Science, Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA, 16802, USA) ,  Tadigadapa Srinivas (School of Electrical Engineering and Computer Science, Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA, 16802, USA)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 273  ページ： 147-158  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディフューザガス入口を介してウエハの表面の近くにおかれたプラズマ源ガスとNF_3とH_2OガスとしてSF_6を用いた改良誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング(ICP RIE)ツール下流における種々の組成のガラス基板のエッチングを報告した。この修正システムを使って,5分エッチング後,エッチ速度をそれぞれ,1.06μm/min,1.04μm/min,0.45μm/min~2Å,~67Å,溶融シリカの~4Å,ホウケイ酸ガラス,アルミノけい酸塩ガラスの表面平滑性を達成することができた。イオン流束とフッ素ラジカルの役割とエッチ速度とエッチ滑らかさに分子を調べた。を多変量統計解析による41エッチングで得られた結果を解析し,ガラス基板組成の各々に対してこれらのパラメータの重要性を決定するためにPearson係数とP値を用いた。全体として全ての三つのガラス組成の,エッチ速度はイオンフラックスによって決定的に影響される。フッ素系ラジカルと分子フラグメントはエッチ速度と溶融シリカの表面平滑性の両方に影響を及ぼすそれらは主にほうけい酸ガラスの表面平滑性に影響を及ぼす。アルミノけい酸塩ガラス中のCaとAlの不純物原子の大部分はエッチ領域中の非揮発性フッ化物を形成し,従って,アルミノけい酸塩ガラスのエッチ速度と表面平滑性は主にイオン束とふっ素化学によって少し影響された。,エッチング過程でのガラス基板の帯電にどのように影響するか金属マスク層の配置の役割と,エッチ速度を調べた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,  *誘導結合プラズマ ,  イオン電流 ,  ホウケイ酸ガラス ,  *アルミノケイ酸ガラス ,  *石英ガラス ,  フッ素 ,  *アルミノケイ酸塩 ,  統計解析 ,  *エッチング ,  アルミニウム ,  ラジカル ,  フッ化物
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  *ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 誘導結合プラズマエッチング ,  シリカエッチング ,  ガラスエッチング ,  高アスペクト比のシリカエッチング ,  ガラスマイクロマシニング ,  NF_3 ,  H_2O ,  ガスディフューザ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 溶融石英 ,  ほうけい酸塩 ,  アルミノけい酸塩 ,  ガラス基板 ,  高アスペクト比エッチング ,  誘導結合プラズマ ,  反応性イオンエッチング ,  プロセス