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J-GLOBAL ID：201802213685250919   整理番号：18A1061131

シリコンオンインシュレータMEMS技術を用いて作製したMEMS容量加速度計の小型化

Miniaturization of MEMS Capacitive Accelerometers Fabricated Using Silicon-on-insulator-MEMS Technology

著者 (2件)： LIU Jiannan (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  MURO Hideo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 30  号： 5 (2)  ページ： 1081-1090  発行年： 2018年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らの以前の研究では,簡単なシリコン-オン-インシュレータ(SOI)-MEMS技術を用いて作製した容量性マイクロ加速度計,および試験質量の側面長さと同じくらいのビーム長さを有する加速度計の実現可能性を研究した。本研究では,ビームパラメータとその構成に対する感度と共振周波数の依存性を調べ,素子を小型化するために,試験質量の長さと同じ長さのビーム長を持つ捕獲加速度計の構造を設計する方法を調査した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *MEMS ,  容量 ,  *共振周波数 ,  *加速度計 ,  小型化 ,  感度 ,  マイクロ加速度計 ,  ビームプロファイル ,  改変
準シソーラス用語： *シリコンオンインシュレータ ,  ビーム形状

分類 (1件)： 時間,速度,加速度,角速度の計測法・機器  (AD05040K)

引用文献 (15件)：

• A. Bertolini, R. DeSalvo, F. Fidecaro, and A. Takamori: IEEE Trans. Geosci. Remote Sens. 44 (2006) 273.
• F. A. Levinzon: IEEE/ASME J. Microelectromech. Syst. 12 (2012) 2262.
• A. Partridge, J. K. Reynolds, B. W. Chui, E. M. Chow, A. M. Fitzgerald, L. Zhang, N. I. Maluf, and T. W. Kenny: IEEE/ASME J. Microelectromech. Syst. 9 (2000) 58.
• Y. Li, Q. Zheng, Y. Hu, and J. Young: IEEE/ASME J. Microelectromech. Syst. 20 (2011) 83.
• P. Monajemi and F. Ayazi: IEEE Sens. J. 6 (2006) 39.

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンオンインシュレータ ,  MEMS ,  作製 ,  加速度計