(631)A/B GaAs基板上のInAsナノ構造の自己秩序化

EUGENIO-LOPEZ Eric; MERCADO-ORNELAS Christian Alejandro; PATIL Pallavi Kisan; CORTES-MESTIZO Irving Eduardo; ESPINOZA-FIGUEROA Jose Angel; GORBATCHEV Andrei Yu; SHIMOMURA Satoshi; ESPINOSA-VEGA Leticia Ithsmel; MENDEZ-GARCIA Victor Hugo

文献

J-GLOBAL ID：201802222329754253 整理番号：18A0912167

(631)A/B GaAs基板上のInAsナノ構造の自己秩序化

Self-ordering of InAs nanostructures on (631)A/B GaAs substrates

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資料名：
巻： 57 号： 2 ページ： 025201.1-025201.5 発行年： 2018年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

GaAs(631)配向結晶面上のInAsの成長において,量子ドットの高次自己組織化を実証した。量子ドット(QD)の一次元秩序化はAsフラックスビーム等価圧力(P_As)とカチオン/アニオン終端表面,すなわちAまたはB型GaAs(631)に強く依存する。QDの自己組織化は[1,3]に沿った両表面型に対して起こるが,QD形状とサイズ分布はAとB型表面上の自己集合に対して異なることが分かった。さらに,実験により,バッファ層波形から生じる(631)面からの任意のミスオリエンテーションは,QDの一次元配置の高次を可能にしないことを示した。光学特性を光ルミネセンス分光法によって研究し,エネルギー遷移とQDサイズの間に良好な対応が得られた。(翻訳著者抄録)

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半導体のルミネセンス , 半導体薄膜

引用文献 (28件)：

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