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J-GLOBAL ID：201802225047232786   整理番号：18A0633216

エピタキシャルHfO₂基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

著者 (5件)： 三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  勝矢良雄 (NIMS) ,  坂田修身 (NIMS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-C104-1  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *酸化ハフニウム ,  *エピタクシー ,  依存性 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *誘電体薄膜 ,  自発分極 ,  抗電場
準シソーラス用語： 膜厚依存性 ,  強誘電体薄膜

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  強誘電特性 ,  膜厚依存性