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J-GLOBAL ID：201802225976860198   整理番号：18A0112840

デッドタイム制御機能内蔵SiC MOSFET用ゲートドライバの開発

Development of the Dead Time Controlled Gate Driver for SiC MOSFET

著者 (6件)： 丹羽章雅 (デンソー) ,  今澤孝則 (デンソー) ,  山本昌弘 (デンソー) ,  笹谷卓也 (デンソー) ,  磯部高範 (デンソー) ,  只野博 (筑波大 数理物質系)
資料名： DENSO Technical Review  (DENSO Technical Review)
巻： 22  ページ： 57-65  発行年： 2017年11月30日 
JST資料番号： L3836A  ISSN： 1342-4114  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC-MOSFETはSi-IGBTに比べ,スイッチング損失や導通損失の低減に期待があるものの,デッドタイム中に発生する内蔵ダイオードの損失が増加する問題がある。本稿では,早期のSiC車載実用化を目指し,HEVインバータにも応用可能なデッドタイム制御手法を提案する。提案法はデッドタイムを0.1μs以下に制御することが可能であり,SiC-SBD使用時と同等の損失低減効果があることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  インバータ ,  半導体素子 ,  燃料電池自動車 ,  スイッチング損失 ,  *自動車 ,  不感時間 ,  ダイオード ,  ハイブリッド自動車 ,  過渡解析 ,  等価回路
準シソーラス用語： SiC MOSFET ,  HEV【自動車】 ,  パワーデバイス ,  SiCパワーデバイス ,  *デッドタイム ,  内蔵ダイオード ,  損失低減 ,  ゲートドライバ ,  等価回路モデル

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電装品  (QG03070C)

引用文献 (13件)：

• 鶴田 : “SiC半導体パワーデバイスの車載実用化の展望”, デンソーテクニカルレビュー Vol.16 (2011), pp.90.
• K. Hamada, et al.: “SiC-Emerging Power Device Technology for Next-Generation Electrically Powered Environmentally Friendly Vehicles”, IEEE Trans. ED, Vol. 62, No. 2 (2015), pp.278.
• トヨタ自動車プレスリリース 2015.1.29 http://newsroom.toyota.co.jp/en/detail/5725437
• 本田技研工業プレスリリース 2016.3.10 http://www.honda.co.jp/news/2016/4160310.html
• J. S. Yu, et al.: “Digital dead-time control for an integrated tri-mode buck-boost DC-DC converter,” in Proc. ECCE Asia (2015), pp. 1768.

タイトルに関連する用語 (7件)： デッドタイム ,  制御機能 ,  SiC ,  MOSFET ,  ゲート ,  ドライバ ,  開発