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J-GLOBAL ID：201802226212613176   整理番号：18A1490513

深準位過渡分光法と少数キャリア寿命により評価したn型結晶シリコンウエハにおけるドライエッチ損傷【JST・京大機械翻訳】

Dry etch damage in n-type crystalline silicon wafers assessed by deep-level transient spectroscopy and minority carrier lifetime

著者 (7件)： Simoen Eddy (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Sivaramakrishnan Radhakrishnan Hariharsudan (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Gius Uddin Md. (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Gordon Ivan (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Poortmans Jef (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Wang Chong (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, 610054 Chengdu, Sichuan, People’s Republic China) ,  Li Wei (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, 610054 Chengdu, Sichuan, People’s Republic China)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 4  ページ： 041201-041201-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,NF_3/ArまたはH_2プラズマ曝露を用いて,ドライエッチn型フロートゾーンシリコンにおける電気的に活性な損傷を比較し,深準位過渡分光法(DLTS)および再結合寿命解析により評価した。NF_3/Arプラズマ損傷はバンドギャップの上部半分における少なくとも4つの異なるタイプの電子トラップから成り,空格子点と空格子点に関連した錯体と関連することができることを示した。H_2プラズマ損傷の場合,点欠陥の蓄積は表面近傍層の徐々に無秩序化をもたらすと信じられる。これらの欠陥準位は再結合中心としても作用し,少数キャリア寿命を劣化させるという事実によって判断される。最後に,寿命測定はDLTSよりエッチング誘起損傷に敏感であることを示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  欠陥準位 ,  再結合中心 ,  再結合 ,  *結晶 ,  *深準位過渡分光法 ,  *エッチング ,  バンドギャップ ,  錯体 ,  プラズマ曝露
準シソーラス用語： 無秩序化 ,  プラズマ損傷 ,  *シリコンウエハ ,  *少数キャリア寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 深準位過渡分光法 ,  少数キャリア寿命 ,  評価 ,  結晶シリコン ,  ウエハ ,  エッチ ,  損傷