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J-GLOBAL ID：201802230473272019   整理番号：18A1646052

AlN膜の微小面積圧電特性の研究と高周波SAWデバイスの作製【JST・京大機械翻訳】

Research of micro area piezoelectric properties of AlN films and fabrication of high frequency SAW devices

著者 (9件)： Wang Fang (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Xiao Fuliang (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Song Dianyou (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Qian Lirong (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Feng Yulin (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Fu Bangran (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Dong Kaifei (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Li Can (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Zhang Kailiang (School of Electrical & Electronic Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic &Communication Devices, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 199  ページ： 63-68  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる基板温度(室温,400°C,500°C,600°C)でマグネトロンスパッタリングにより,Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基板上に窒化アルミニウム(AlN)薄膜を最適化した。X線回折(XRD)と原子間力顕微鏡(AFM)の解析は,高い(002)配向,最小値のロッキング曲線FWHMと優れた結晶粒分布を有するAlN膜の最適堆積温度が500°Cであることを示した。微小面積圧電応答力顕微鏡(PFM)の結果は,500°Cで堆積したAlN試料が最高の相対圧電係数(d*_33(max)=0.79)と均一な圧電性能を有することを示した。さらに,サブミクロンスケール(指幅300nm)のインターディジタルトランスデューサ(IDT)を設計し,電子ビームリソグラフィ(EBL)とリフトオフプロセスにより作製した。最後に,Pt/AlN/Pt二ポートSAW素子セルを,4.47GHzまでの素子周波数と約5300m/sの堆積AlNの音響速度で構成した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ロッキングカーブ ,  原子間力顕微鏡 ,  結晶粒 ,  最適化 ,  *弾性表面波素子 ,  *窒化アルミニウム ,  音速 ,  基板温度 ,  薄膜 ,  電子ビームリソグラフィー ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： リフトオフ ,  圧電定数 ,  *圧電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SAW ,  窒化アルミニウム ,  (002)方位 ,  圧電特性 ,  電子ビームリソグラフィー

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  微小 ,  面積 ,  圧電特性 ,  研究 ,  高周波 ,  SAWデバイス ,  作製