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J-GLOBAL ID:201802230714236057   整理番号:18A1998836

シリコンのSSCTエッチングにより形成されたナノ構造層の形態学的および光学的性質の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of morphological and optical properties of nanostructured layers formed by the SSCT etching of silicon
著者 (4件):
資料名:
巻: 461  ページ: 72-77  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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異なるエッチング時間で金属支援エッチング法を用いて,シリコン基板上にナノ構造層を形成した。調製した層の微細構造特性を,電子顕微鏡法により実験的に研究し,統計的方法により,パワースペクトル密度の解析とフラクタル幾何学の方法により,Abbot-Firestone法により解析した。微細構造解析の結果は,エッチング層の体積における粒径分布の形成と構造調製中のその発達を示した。Raman散乱を用いて,形成された粒子サイズ分布に関連する振動状態密度を決定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  固-液界面  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  半導体薄膜 

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