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J-GLOBAL ID：201802231672398033   整理番号：18A1520303

Si,CおよびFeを共ドープした高抵抗GaN基板中の電子濃度

Electron concentration in highly resistive GaN substrates co-doped with Si, C, and Fe

著者 (4件)： TOKUDA Hirokuni (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  SUZUKI Kosuke (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ASUBAR Joel T. (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 7  ページ： 071001.1-071001.4  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 意図無しに取り込まれたシリコン(Si)および炭素(C)と共に意図的な鉄(Fe)ドーパントを持つ高抵抗性GaN基板中の電子濃度を調べた。二次イオン質量分析(SIMS)で測定したSi,C,Feの原子濃度は,それぞれ2×10¹⁷,1×10¹⁶および1×10¹⁹cm^-3であった。電流-電圧(I-V)特性の温度依存性は,抵抗率(ρ)が300Kで3.8×10⁹Ωcmであり,570Kで3.1×10⁴Ωcmまで単調に減少し,0.63eVの活性化エネルギーを与えることを明らかにした。電子濃度(n)は,Siドナー,CおよびFeアクセプタの3つの不純物レベルを仮定した解析方程式を用いてモデル化した。0.6eVの有効活性化エネルギーを用いて,300および570Kでそれぞれ5.0×10⁷および3.1×10¹²のnをモデルに基づいて導出した。これらの計算した電子濃度値は実験結果とよく一致した。更に,定量的に解析した結果は,Feのドーピング濃度を1.0×10¹⁸から1.0×10²⁰cm^-3に増加させることにより,nの約2桁の減少が期待されることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ドーピング ,  ケイ素 ,  炭素 ,  鉄 ,  *電気抵抗率 ,  *温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  不純物濃度 ,  化合物半導体 ,  *電子密度 ,  二次イオン質量分析 ,  電流電圧特性 ,  *共ドーピング ,  電子濃度

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (41件)：

• Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 713 (2006).
• J. G. Lee, B. R. Park, H. J. Lee, M. Lee, K. S. Seo, and H. Y. Cha, Appl. Phys. Express 5, 066502 (2012).
• B. J. Baliga, Semicond. Sci. Technol. 28, 074011 (2013).
• B. Mazumder, S. W. Kaun, J. Lu, S. Keller, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 102, 111603 (2013).
• Z. Tang, Q. Jiang, Y. Lu, S. Huang, S. Yang, X. Tang, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 34, 1373 (2013).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Fe ,  ドープ ,  GaN ,  電子濃度