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J-GLOBAL ID：201802236617738541   整理番号：18A0917631

p-AlGaNコンタクト層上の高反射フォトニック結晶を用いた高い外部量子効率(10%)AlGaN系深紫外発光ダイオード

High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer

著者 (14件)： KASHIMA Yukio (RIKEN, Saitama, JPN) ,  KASHIMA Yukio (Marubun Corp., Tokyo, JPN) ,  MAEDA Noritoshi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MATSUURA Eriko (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MATSUURA Eriko (Marubun Corp., Tokyo, JPN) ,  JO Masafumi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  IWAI Takeshi (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, JPN) ,  MORITA Toshiro (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, JPN) ,  KOKUBO Mitsunori (Toshiba Machine Co., Ltd., Shizuoka, JPN) ,  TASHIRO Takaharu (Toshiba Machine Co., Ltd., Shizuoka, JPN) ,  KAMIMURA Ryuichiro (ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN) ,  OSADA Yamato (ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN) ,  TAKAGI Hideki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 1  ページ： 012101.1-012101.4  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,高反射フォトニック結晶(HR-PhC)をp-AlGaNコンタクト層の表面に導入することによって,AlGaNベースの深紫外発光ダイオード(DUV LED)の光取り出し効率(LEE)を向上させ,それによって,高い外部量子効率(EQE)を達成することができた。ナノインプリントとドライエッチングを用いて,約250nmの格子周期を有する低ダメージHR-PhCを作製した。反射型Ni/Mgのp型電極を,傾斜蒸発法を用いてHR-PhC層上に堆積させた。HR-PhCおよび反射性Ni/Mg電極を導入することにより,283nm付近の発光を伴う従来のDUV LEDのEQEは,4.8から10%に増加した。HR-PhC p-AlGaNコンタクト層のNi/Mg電極との有効反射率の単純な推定値は,90%を超える値を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *層 ,  *フォトニック結晶 ,  *量子効率 ,  *発光ダイオード ,  パターン転写 ,  ドライエッチング ,  電極 ,  マグネシウム ,  反射率
準シソーラス用語： *AlGaN ,  *コンタクト層 ,  *外部量子効率 ,  *深紫外発光ダイオード ,  ナノインプリント ,  ニッケル電極

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  非線形光学  (BD05000T)

引用文献 (20件)：

• H. Hirayama, J. Appl. Phys. 97, 091101 (2005).
• M. Kneissl, in III-Nitride Ultraviolet Emitters, ed. M. Kneissl and J. Rass (Springer, Cham, 2016) Springer Series in Material Science, Vol. 227, Chap. 1.
• A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Semicond. Sci. Technol. 29, 084005 (2014).
• A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Proc. SPIE 9363, 93631L (2015).
• Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D43, 354002 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  コンタクト層 ,  フォトニック結晶 ,  外部量子効率 ,  深紫外発光ダイオード