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J-GLOBAL ID：201802237950168946   整理番号：18A0917511

アルミニウム接触した二硫化モリブデンにおける接触誘起ドーピング

Contact-induced doping in aluminum-contacted molybdenum disulfide

著者 (3件)： SHIMAZU Yoshihiro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  ARAI Kensuke (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  IWABUCHI Tatsuya (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 1  ページ： 015801.1-015801.5  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元半導体と金属接触の間の界面は二硫化モリブデン(MoS₂)のような二次元半導体材料に基づくナノ電子デバイスの研究において重要な話題である。Ti/AuとAl接触を持つ電界効果トランジスタ構造における薄いMoS₂フレークの輸送特性を報告する。広く使われているTi/Au接触とは対照的に,Al接触を持つフレークのコンダクタンスはより小さいゲート電圧依存性を示し,これはAl接触の実質的な電子ドーピング効果と一致する。Al接触に対する2端子コンダクタンスの温度依存性もTi/Au接触よりもかなり小さく,熱電子放出と熱支援トンネリングが支配的な役割を果たしている。この結果は,Al接触におけるキャリア注入機構が熱的に活性化されないトンネリングによって支配されるという仮定によって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム ,  *接触 ,  ドーピング ,  *FET【トランジスタ】 ,  *コンダクタンス ,  温度依存性 ,  *熱電子放出 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： Au ,  *ゲート電圧 ,  トンネリング ,  ナノデバイス ,  *二次元半導体 ,  *二硫化モリブデン ,  *熱活性化 ,  輸送特性

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (34件)：

• Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699 (2012).
• X. Tong, E. Ashalley, F. Lin, H. Li, and Z. M. Wang, Nano-Micro Lett. 7, 203 (2015).
• A. Allain, J. Kang, K. Banerjee, and A. Kis, Nat. Mater. 14, 1195 (2015).
• I. Popov, G. Seifert, and D. Tomanek, Phys. Rev. Lett. 108, 156802 (2012).
• S. McDonnell, R. Addou, C. Buie, R. M. Wallace, and C. L. Hinkle, ACS Nano 8, 2880 (2014).

タイトルに関連する用語 (4件)： アルミニウム ,  二硫化モリブデン ,  誘起 ,  ドーピング