SHIMAZU Yoshihiro について
Yokohama National Univ., Yokohama, JPN について
ARAI Kensuke について
Yokohama National Univ., Yokohama, JPN について
IWABUCHI Tatsuya について
Yokohama National Univ., Yokohama, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
アルミニウム について
接触 について
ドーピング について
FET【トランジスタ】 について
コンダクタンス について
温度依存性 について
熱電子放出 について
キャリア注入 について
Au について
ゲート電圧 について
トンネリング について
ナノデバイス について
二次元半導体 について
二硫化モリブデン について
熱活性化 について
輸送特性 について
半導体-金属接触 について
トランジスタ について
界面の電気的性質一般 について
アルミニウム について
二硫化モリブデン について
誘起 について
ドーピング について