水素化物気相エピタキシー法により成長させた無炭素ドリフト層を用いた垂直型GaN系PNダイオードのマクロステップ誘起電流不均一性の解消

FUJIKURA Hajime; HAYASHI Kentaro; HORIKIRI Fumimasa; NARITA Yoshinobu; KONNO Taichiro; YOSHIDA Takehiro; OHTA Hiroshi; MISHIMA Tomoyoshi

文献

J-GLOBAL ID：201802238701024301 整理番号：18A0912220

水素化物気相エピタキシー法により成長させた無炭素ドリフト層を用いた垂直型GaN系PNダイオードのマクロステップ誘起電流不均一性の解消

Elimination of macrostep-induced current flow nonuniformity in vertical GaN PN diode using carbon-free drift layer grown by hydride vapor phase epitaxy

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資料名：
巻： 11 号： 4 ページ： 045502.1-045502.4 発行年： 2018年04月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

有機金属気相成長法(MOCVD)のみによって成長した垂直型GaN PNダイオード(PND)では,大きな電流不均一性が観察された。この不均一性は,n-GaN結晶への炭素取り込みの変調を介した,GaN表面へのマクロステップによって発生した。これは,水素化物気相成長(HVPE)によって成長された無炭素n-GaN層およびMOCVD再成長p-GaN層からなる,ハイブリッドPNDにおいて排除された。ハイブリッドPNDは,フィールドプレート電極がなくても,かなり低いオン抵抗(2mΩ cm²)および高い破壊電圧(2kV)を示した。これらの結果は,パワーデバイスの性能,均一性および歩留まりを改善するためのHVPE成長ドリフト層の強力な利点を明確に示している。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , ダイオード

引用文献 (24件)：

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