FUJIKURA Hajime について
SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN について
HAYASHI Kentaro について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
HORIKIRI Fumimasa について
SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN について
NARITA Yoshinobu について
SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN について
KONNO Taichiro について
SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN について
YOSHIDA Takehiro について
SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN について
OHTA Hiroshi について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
MISHIMA Tomoyoshi について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
Applied Physics Express について
エピタクシー について
炭素 について
窒化ガリウム について
ダイオード について
PN接合 について
MOCVD について
表面ステップ について
電流 について
不均一性 について
オン抵抗 について
電圧 について
半導体素子 について
歩留り について
水素化物気相エピタクシー について
絶縁破壊電圧 について
パワーデバイス について
半導体薄膜 について
ダイオード について
水素化物気相エピタキシー について
成長 について
炭素 について
ドリフト について
垂直型 について
GaN について
PN について
ダイオード について
マクロ について
誘起 について
不均一性 について