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J-GLOBAL ID：201802242331536981   整理番号：18A0917514

カンチレバーの梁に埋め込まれた空乏層を持つシリコンp-nダイオードアクチュエータ

Silicon p-n diode actuators with depletion layer embedded in a beam of cantilever

著者 (4件)： NAKAI Yuri (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KANAYA Kazuya (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 1  ページ： 017201.1-017201.9  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,空乏層に誘起された力により駆動されるp-nダイオードアクチュエータについて述べた。以前に,p-n接合の位置がp-nダイオードアクチュエータの作動を発生させることが報告されている。しかし,空乏層の広がりもp-nダイオードアクチュエータにおいて重要な役割を果たすはずである。p-n接合の位置だけでなく空乏層の広がりにより誘起される力により,p-nダイオードアクチュエータが駆動される新しい理論を開発した。エピタキシャル基板を用いて作製したシリコンカンチレバー型p-nダイオードアクチュエータに対して,空乏層の広がりによって発生する力が支配的になることを示した。梁に埋め込まれた空乏層を持つアクチュエータの振幅もDCバイアスに比例することを示した。これらの特徴は以前に報告されたアクチュエータとは非常に異なっている。また,梁の基底の下に形成された空乏層によって駆動される最初のアクチュエータを示した。梁の基底の下で誘導された振幅は小さいが,カンチレバーの先端の変位は共鳴によって拡大される。作製したp-nダイオードアクチュエータを評価することにより,実験結果と理論との良好な一致を確認した。さらに,p-nダイオードアクチュエータの温度依存性を示した。測定データは,周波数(TCF)の温度係数が梁に埋め込まれた空乏層により強く抑制されることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *梁 ,  *空乏層 ,  *ダイオード ,  *アクチュエータ ,  *PN接合 ,  バイアス ,  変位 ,  共鳴 ,  *温度依存性 ,  周波数 ,  *温度係数
準シソーラス用語： *カンチレバー ,  シリコン

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  ロボットの設計・製造・構造要素  (IC04013A)

引用文献 (20件)：

• K. Hashimoto, K. Ito, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 067201 (2011).
• D. Galayko, A. Kaiser, L. Buchaillot, B. Legrand, D. Collard, and C. Combi, J. Micromech. Microeng. 13, 134 (2003).
• T. Oka, T. Ishino, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 06GH02 (2011).
• T. Okamoto, H. Tanigawa, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 06FL06 (2012).
• D. Weinstein and S. A. Bhave, IEDM Tech. Dig., 2007, p. 415.

タイトルに関連する用語 (6件)： カンチレバー ,  梁 ,  空乏層 ,  シリコン ,  ダイオード ,  アクチュエータ