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J-GLOBAL ID：201802243411834667   整理番号：18A1520314

超ワイドバンドギャップAlGaN分極ドープ電界効果トランジスタ

Ultra-wide band gap AlGaN polarization-doped field effect transistor

著者 (10件)： ARMSTRONG Andrew M. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  KLEIN Brianna A. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  COLON Albert (Sandia National Lab., NM, USA) ,  ALLERMAN Andrew A. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  DOUGLAS Erica A. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  BACA Albert G. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  FORTUNE Torben R. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  ABATE Vincent M. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  BAJAJ Sanyam (Ohio State Univ., OH, USA) ,  RAJAN Siddharth (Ohio State Univ., OH, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 7  ページ： 074103.1-074103.5  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分極ドープ電界効果トランジスタ(PolFET)を,Al組成が0.70≦x≦0.85にわたり傾斜した,意図せずにドープされたAl_xGa_1-xNチャンネル層とAl_0.85Ga_0.15N表面へのオーム接触形成を用いて実現した。5.4×10¹²cm^-2の高いシート電荷濃度(n_s)と1.1mΩcm²の特性接触抵抗率を持つオーム接触に沿ったチャンネル範囲に対して210cm²V^-1の平均電子移動度(μ)と金属-半導体ゲートに対して3.0eVの大きなSchttky障壁高さのため,-3.95Vのあまり大きくない閾電圧に対して24mA/mmの電流密度を得た。AlGaN PolFETに対する超ワイドバンドギャップエネルギー,高いμ,及び高いnsの組み合わせ,線形オーム接触,及び高いShottky障壁は,それらを高電圧スイッチと高出力rfデバイスの両方に対して魅力的にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *分極 ,  *傾斜機能材料 ,  *ドーピング ,  化合物半導体 ,  Ohm接触 ,  Schottky障壁 ,  電流密度 ,  スイッチ ,  電荷分布 ,  キャリア移動度 ,  *バンドギャップ ,  キャリア密度
準シソーラス用語： FETスイッチ ,  *ワイドバンドギャップ ,  傾斜組成 ,  電荷密度 ,  電子移動度 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, M. Ueno, T. Nakamura, N. Yafune, K. Sakuno, H. Tokuda, M. Kuzuhara, K. Takeda, M. Iwaya, and H. Amano, Phys. Status Solidi C 9, 373 (2012).
• H. Tokuda, M. Hatano, N. Yafune, S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, and M. Kuzuhara, Appl. Phys. Express 3, 121003 (2010).
• N. Yafune, S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, H. Tokuda, and M. Kuzuhara, Electron. Lett. 50, 211 (2014).
• H. Hahn, B. Reuters, H. Kalisch, and A. Vescan, Semicond. Sci. Technol. 28, 074017 (2013).
• S. Bajaj, T.-H. Hung, F. Akyol, D. Nath, and S. Rajan, Appl. Phys. Lett. 105, 263503 (2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： ワイドバンドギャップ ,  AlGaN ,  分極 ,  ドープ ,  電界効果トランジスタ