ARMSTRONG Andrew M. について
Sandia National Lab., NM, USA について
KLEIN Brianna A. について
Sandia National Lab., NM, USA について
COLON Albert について
Sandia National Lab., NM, USA について
ALLERMAN Andrew A. について
Sandia National Lab., NM, USA について
DOUGLAS Erica A. について
Sandia National Lab., NM, USA について
BACA Albert G. について
Sandia National Lab., NM, USA について
FORTUNE Torben R. について
Sandia National Lab., NM, USA について
ABATE Vincent M. について
Sandia National Lab., NM, USA について
BAJAJ Sanyam について
Ohio State Univ., OH, USA について
RAJAN Siddharth について
Ohio State Univ., OH, USA について
Japanese Journal of Applied Physics について
アルミニウム化合物 について
ガリウム化合物 について
窒化物 について
FET【トランジスタ】 について
分極 について
傾斜機能材料 について
ドーピング について
化合物半導体 について
Ohm接触 について
Schottky障壁 について
電流密度 について
スイッチ について
電荷分布 について
キャリア移動度 について
バンドギャップ について
キャリア密度 について
FETスイッチ について
ワイドバンドギャップ について
傾斜組成 について
電荷密度 について
電子移動度 について
窒化ガリウムアルミニウム について
トランジスタ について
ワイドバンドギャップ について
AlGaN について
分極 について
ドープ について
電界効果トランジスタ について