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J-GLOBAL ID：201802243732807768   整理番号：18A1028631

硬X線光電子分光法により測定した自然酸化物/BaSi_2および非晶質Si/BaSi_2界面におけるバンド整列【JST・京大機械翻訳】

Band alignments at native oxide/BaSi₂ and amorphous-Si/BaSi₂ interfaces measured by hard X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (8件)： Takabe Ryota (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Takeuchi Hiroki (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Du Weijie (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Ito Keita (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Toko Kaoru (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Ueda Shigenori (Quantum Beam Unit, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Kimura Akio (Graduate School of Science, Hiroshima University, Higashi-hiroshima 739-8526, Japan) ,  Suemasu Takashi (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーによりn-Si(111)上に自然酸化物/BaSi_2および非晶質Si(a-Si,5nm)構造を作製し,キャリア輸送特性を理解するためにX線光電子分光法により界面でのバンド配列を評価した。n-BaSi_2における少数キャリア,正孔に対する自然酸化物のポテンシャル障壁高さは約3.9eVであるが,a-Siのそれは約-0.2eVであることを見出した。これらの結果は,a-Si層が正孔輸送の観点から自然酸化物より優れていることを意味する。これらのバンド配列により,光応答性はa-Si層でキャップしたBaSi_2に対して劇的に改善された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線光電子スペクトル ,  MBE成長 ,  正孔 ,  少数キャリア ,  *非晶質 ,  *界面 ,  *X線光電子分光法 ,  *アモルファスシリコン ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： 光応答 ,  正孔輸送 ,  キャリア輸送 ,  *バンドアライメント ,  *自然酸化物 ,  硬X線光電子分光 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硬X線光電子分光 ,  自然酸化物 ,  非晶質Si ,  界面 ,  バンド整列