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J-GLOBAL ID：201802245485868268   整理番号：18A0972360

グラフェン-酸化物-半導体平面型電子放出デバイスの電子放出特性【JST・京大機械翻訳】

Electron emission properties of graphene-oxide-semiconductor planar-type electron emission devices

著者 (8件)： Murakami Katsuhisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan; Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan; and National Institute fo...) ,  Tanaka Shunsuke (Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Iijima Takuya (Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Nagao Masayoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Nemoto Yoshihiro (National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Takeguchi Masaki (National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Yamada Yoichi (Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Sasaki Masahiro (Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 2  ページ： 02C110-02C110-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空アニーリング前後のグラフェン-酸化物-半導体(GOS)構造に基づく平面型電子放出デバイスの電子放出特性を調べた。電子放出電流のゆらぎは約0.07%で,従来の電界エミッタアレイに比べて優れた安定性を示した。GOSデバイスは電子放出特性の劣化なしに10Paの非常に低い真空中で操作可能であった。GOSデバイスの電子放出特性の改善は,300°Cでの真空アニーリングにより達成された。GOS型電子放出素子の電子放出効率は真空アニーリング後に0.2%から2.7%に達した。グラフェン電極の仕事関数は,Kelvin力プローブ顕微鏡分析による真空アニーリング後に0.26eV減少することが分かった。これらの結果は,真空アニーリングによるGOSデバイスの電子放出効率の改善がグラフェン電極の仕事関数の減少に起因することを示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  電流 ,  *電子放出 ,  焼なまし ,  *グラフェン ,  ゆらぎ ,  *半導体 ,  *酸化物
準シソーラス用語： グラフェン電極 ,  電界エミッタアレイ ,  *電界エミッタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  酸化物 ,  電子放出デバイス ,  電子放出