文献

J-GLOBAL ID：201802246243107849   整理番号：18A1636515

無電解Ni-P/Auめっき膜のはんだ濡れ性に及ぼす膜中水素の影響

著者 (5件)： 小田幸典 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  小田幸典 (上村工業 中研) ,  相良優作 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  福室直樹 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  八重真治 (兵庫県大 大学院工学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 69  号： 9  ページ： 415-417  発行年： 2018年09月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・パッケージ基板に使用される無電解Ni-P/Auめっきのはんだ接合では,はんだ濡れ不足による接続不良が重要。
・本研究では,無電解Ni-P/Auめっき膜に含まれる水素の脱離と半田濡れ拡がり性の相関を研究。
・はんだ濡れ拡がり性は,表面粗さとNi濃度と無相関。
・最も水素濃度の高かった熱処理無しの試料は,半田濡れ広がり率も最も高く86.1%であったのに対し,真空処理,大気中熱処理した試料は,ともに79.1%。
・Ni膜厚を10および15μmとしたはんだ濡れ拡がり率はそれぞれ89.2%および91.4%であったことから,水素量が高いほどはんだ濡れ拡がり性が上昇。

シソーラス用語： *プリント基板 ,  *無電解めっき ,  ニッケル合金 ,  金 ,  水素 ,  *はんだ ,  濡れ ,  熱処理
準シソーラス用語： リン合金 ,  *パッケージ基板

分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  プリント回路  (NA05040O)

引用文献 (20件)：

• 1)A. Chinda, N. Miyamoto, O, Yoshioka ; Hyomen Gijutsu, 49, 1291(1998).
• 2)C. W. Hwang, M. Kiso, S. Hashimoto, K. Suganuma ; J. Mater. Res., 18, 2540(2003).
• 3)I. Shohji, S. Shimoyama, H. Ishikawa, M Kojima ; Trans. Japan Inst. Electron. Packaging, 1, 9(2008).
• 4)Y. Oda, M. Kiso, S. Kurosaka, A. Okada, K. Kitajima, S. Hashimoto, G. Milad, D. Gudeczauskas ; Proceeding of International Microelectronics & Packaging Society, IMAPS(2008).
• 5)C. E. Ho, L. H. Hsu, S. W. Lin, M. A. Rahman ; J. Electron. Mater., 41, 2(2012).

タイトルに関連する用語 (7件)： 電解 ,  Ni ,  Au ,  めっき膜 ,  はんだ ,  濡れ性 ,  水素