Li+またはH+輸送によって達成した相関金属SrVO3に基づく全固体レドックス・トランジスタ

TAKAYANAGI Makoto; TAKAYANAGI Makoto; TSUCHIYA Takashi; NAMIKI Wataru; NAMIKI Wataru; HIGUCHI Tohru; TERABE Kazuya

文献

J-GLOBAL ID：201802249280828328 整理番号：18A0594208

Li⁺またはH⁺輸送によって達成した相関金属SrVO₃に基づく全固体レドックス・トランジスタ

Correlated Metal SrVO₃ Based All-Solid-State Redox Transistors Achieved by Li⁺ or H⁺ Transport

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A0594208&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A0594208&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0509A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 87 号： 3 ページ： 034802.1-034802.5 発行年： 2018年03月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

1つはLi₄SiO₄(LSO)Li⁺イオン伝導体そして,1つはY-安定化ZrO₂(YSZ)H⁺イオン伝導体による2つのSrVO₃(SVO)に基づく全固体レドックス・トランジスタを製作した。2つのデバイスは,一価の陽イオン挿入のため類似した電子キャリアドーピング挙動で予想されるのと対照的な異なる電子伝導特性を示した。YSZデバイスが比較的大きいドレーン電流強化(9%)を示したが,LSOデバイスが示した電流強化は非常に小さかった(0.2%)。両方のデバイスで,電気伝導特性は,SVO薄膜での非安定状態のイオン拡散により,かなりのヒステリシスを伴った。さらにまた,電気-二重-層-トランジスタ(EDLT)に存在するより,ゲート電流値は,非常に大きかった。これらはEDLTよりもむしろレドックス・トランジスタであることを示した。(翻訳著者抄録)

, , , , , ,

トランジスタ

引用文献 (26件)：

B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature 401, 682 (1999).
S.-M. Yoon, S. Yang, C. Byun, S.-H. K. Park, D.-H. Cho, S.-W. Jung, O.-S. Kwon, and C.-S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 20, 921 (2010).
R. Waser and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833 (2007).
S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H.-J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 88, 202102 (2006).

, , , ,

前のページに戻る