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J-GLOBAL ID：201802249986694931   整理番号：18A0742426

次のナノメートルエレクトロニクス時代のための適切なeDRAM構成に関する再調査

Review on suitable eDRAM configurations for next nano-metric electronics era

著者 (5件)： AMAT E. (Universitat Politecnica de Catalunya, Barcelona, ESP) ,  AMAT E. (Barcelona Microelectronic Inst. (IMB-CNM), Bellaterra, ESP) ,  CANAL R. (Universitat Politecnica de Catalunya, Barcelona, ESP) ,  CALOMARDE A. (Universitat Politecnica de Catalunya, Barcelona, ESP) ,  RUBIO A. (Universitat Politecnica de Catalunya, Barcelona, ESP)
資料名： International Journal of the Society of Materials Engineering for Resources  (International Journal of the Society of Materials Engineering for Resources)
巻： 23  号： 1  ページ： 22-29  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： L2136A  ISSN： 1347-9725  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *DRAM ,  *埋込み【挿入】 ,  *調査 ,  ナノ構造 ,  電子技術 ,  半導体集積回路 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 埋込みDRAM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (39件)：

• [1] K. Kuhn, “Moore's Law Past 32nm: Future Challenges in Device Scaling,” Int. Work. Comput. Electron., pp.1-6, 2009.
• [2] E. Amat, J. Martin-Martinez, M. B. Gonzalez, R. Rodríguez, M.Nafría, X. Aymerich, P. Verheyen, and E. Simoen, “Processing dependences of channel hot-carrier degradation on strained-Si p-channel metal-oxide semiconductor fieldeffect transistors,” J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct., 29, no.1, p.01AB07-01AB07-4, 2011.
• [3] D. L. Kwong, “CMOS integration issues with high-k gate stack,” Int. Symp. Phys. Fail. Anal. Integr. Circuits, pp.17-20, 2004.
• [4] A. L. Rodriguez, M. B. Gonzalez, G. Eneman, C. Claeys, D. Kobayashi, E. Simoen, and J. A. J. Tejada, “Impact of Ge Content and Recess Depth on the Leakage Current in Strained Si1-x Gex/Si Heterojunctions,” IEEE Trans. Electron Devices, 58, no.8, pp.2362-2370, 2011.
• [5] W. Haensch, E. J. Nowak, R. H. Dennard, P. M. Solomon, A.Bryant, O. Dokumaci, A. Kumar, X. Wang, J. B. Johnson, and M. V Fischetti, “Silicon CMOS devices beyond scaling,” IBM J. Res. Dev., 50, no.4/5, pp.339-361, 2006.

タイトルに関連する用語 (1件)： 再調査