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J-GLOBAL ID：201802251617209346   整理番号：18A0968587

NbN/Co_2FeSi層状デバイスのエピタキシャル接触Andreev反射分光法【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial contact Andreev reflection spectroscopy of NbN/Co₂FeSi layered devices

著者 (11件)： Shigeta Iduru (Department of Physics and Astronomy, Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima University, Korimoto 1-21-35, Kagoshima 890-0065, Japan) ,  Kubota Takahide (Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sakuraba Yuya (National Institute for Materials Science (NIMS), Sengen 1-2-1, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Molenaar Cor G. (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Beukers Joost N. (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Kimura Shojiro (High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Golubov Alexander A. (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Brinkman Alexander (Faculty of Science and Technology and MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Awaji Satoshi (High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takanashi Koki (Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Hiroi Masahiko (Department of Physics and Astronomy, Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima University, Korimoto 1-21-35, Kagoshima 890-0065, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 7  ページ： 072402-072402-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長超伝導体NbNとホイスラー合金Co_2FeSi層状デバイスを用いたエピタキシャル接触Andreev反射(ECAR)分光法によりCo基ホイスラー合金Co_2FeSiのスピン分極Pを調べた。強磁性Co_2FeSiは,Heusler合金のクラスにおいて,最も高いCurie温度(T_C≒1100K)および最大の自発磁気モーメント(p_s≒6μ_B)を有した。ECAR測定は,Co_2FeSiのP値が有限障壁パラメータZで54±2%であることを明らかにし,ECAR分光法における固有P値が点接触Andreev反射分光法における報告値を超えることを示した。したがって,MgO基板上に超伝導体NbNを有する強磁性Co_2FeSiのエピタキシャル集積だけでなく,それらのECAR素子の作製と評価技術も確立した。この非常に汎用性のある超伝導スピントロニクスシステムは,基本的超伝導スピントロニクス研究を可能にし,また,それは,実用的超伝導スピントロニクスデバイスの候補でもある。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  ホイスラー合金 ,  磁気モーメント ,  超伝導 ,  *Andreev反射 ,  酸化マグネシウム ,  点接触 ,  スピントロニクス ,  Curie温度 ,  *エピタクシー ,  スピン分極 ,  超伝導体
準シソーラス用語： *NbN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： NbN ,  エピタキシャル ,  Andreev反射 ,  分光法