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J-GLOBAL ID：201802252584378584   整理番号：18A0795956

ヘキサフルオロアンチモン酸塩を含むハイブリッドフォトレジストの高分解能EUVLパターンの増強された機械的性質【JST・京大機械翻訳】

Enhanced mechanical properties of the high-resolution EUVL patterns of hybrid photoresists containing hexafluoroantimonate

著者 (6件)： Kumar Pawan (School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, H.P. 175005, India) ,  Reddy Pulikanti Guruprasad (School of Basic Science, Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, H.P. 175005, India) ,  Sharma Satinder K. (School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, H.P. 175005, India) ,  Ghosh Subrata (School of Basic Science, Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, H.P. 175005, India) ,  Pradeep Chullikkattil P. (School of Basic Science, Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, H.P. 175005, India) ,  Gonsalves Kenneth E. (School of Basic Science, Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, H.P. 175005, India)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 194  ページ： 100-108  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,それらのパターン崩壊挙動の文脈におけるハイブリッドフォトレジストの機械的性質を調べた。ピーク力定量的ナノ機械的マッピング(PF-QNM)技術を用いて,2つのハイブリッドEUVフォトレジスト,1.5%&2.15%-MAPDSA-MAPDSTを有するヘキサフルオロアンチモン酸塩とトリフラート対イオン部分から得た高分解能パターンのDMT(Derjaguin,Muller,Toropov)弾性率とチップ-試料接着力のような機械的性質を調べた。良好に分解された高分解能90-20nm(L/5S)線パターン,20-32nm(L/2S-L/5S)線パターンおよび線-肘接合のようなナノ特徴の機械的性質を調べ,それらのSbF_6-組成の違いに対して解析した。1.5%-MAPDSA-MAPDSTレジストの場合,DMT弾性率とチップ-試料接着力は,2.15%-MAPDSA-MAPDSTレジストと比較して,レジスト線幅と線間隔に強く依存することが分かった。20nm(L/2S)線パターンに対する1.5%-MAPDSA-MAPDSTレジストに対する~2.7GPaとは対照的に,2.15%-MAPDSA-MAPDSTレジストに対する5GPaの弾性率値の著しい改善があった。同様に,レジスト表面上のチップ試料接着力もパターンアスペクト比とレジスト組成中のSbF_6含有量に依存することが分かった。これらの研究は,レジスト定式化におけるSbF_6-含有量の増加が,それらの高分解能ナノパターンの機械的性質にカスケード効果を与えることを明らかにした。これは,パターン崩壊の低減に役立ち,優れたパターン形成性能をもたらす。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高分解能 ,  リソグラフィー ,  放射線量 ,  付着力 ,  接着 ,  定式化 ,  アスペクト比 ,  活性化エネルギー ,  パターン形成 ,  *機械的性質 ,  *レジスト ,  *フォトレジスト ,  弾性係数
準シソーラス用語： ナノパターン ,  線幅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： 極端紫外線(EUV)リソグラフィー ,  新しい非化学的ネガティブトーン(N-CARS)レジスト ,  低活性化エネルギー ,  最適線量 ,  サブ20nm技術ノード ,  次世代リソグラフィー ,  接着 ,  モジュラス ,  パターン崩壊

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： フルオロアンチモン酸塩 ,  フォトレジスト ,  高分解能 ,  EUVL ,  増強 ,  機械的性質