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J-GLOBAL ID:201802253770515170   整理番号:18A0917642

エネルギーコストが100fJ/bit以下のGaInAsP/InP膜分布反射型レーザの20Gbit/s直接変調

20-Gbit/s direct modulation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser with energy cost of less than 100 fJ/bit
著者 (9件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 012704.1-012704.4  発行年: 2018年01月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,Tomiyasuらによって以前に報告された(Appl. Phy. Express 10, 062702 (2017))静電レージング特性を有する,膜分布反射(DR)レーザの低エネルギーコストで20Gbit/sの直接変調を実証した。小信号変調特性として,GHz/mA1/2の変調電流効率が得られた。非ゼロ復帰211-1ワード長の疑似ランダムビットシーケンス信号を使用する20Gビット/秒直接変調では,6.4×10-10のビット誤り率を有するクリアアイ開口が1.06mAのバイアス電流および1.76Vのバイアス電圧で得られ,これまでに報告されている膜分布フィードバック(DFB)およびDRレーザの中で,93fJ/ビットという記録的な低エネルギーコストをもたらした。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体レーザ  ,  光変調器 

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