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J-GLOBAL ID：201802256868817013   整理番号：18A1330593

溶液ベースの多重活性層を有する酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタのための選択的UV-O₃処理

Selective UV-O₃ treatment for indium zinc oxide thin film transistors with solution-based multiple active layer

著者 (6件)： KIM Yu-Jung (National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR) ,  JEONG Jun-Kyo (National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR) ,  PARK Jung-Hyun (National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR) ,  JEONG Byung-Jun (National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR) ,  LEE Hi-Deok (National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR) ,  LEE Ga-Won (National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S3  ページ： 06KB01.1-06KB01.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *金属酸化物 ,  *半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  *オゾン処理 ,  紫外線照射 ,  特性 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： *酸化インジウム亜鉛 ,  デバイス特性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (33件)：

• N. Morosawa, M. Nishiyama, Y. Ohshima, A. Sato, Y. Terai, K. Tokunaga, J. Iwasaki, K. Akamatsu, Y. Kanitani, S. Tanaka, and T. Arai, J. Soc. Inf. Disp. 21, 467 (2013).
• B. Y. Su, A. H. Cheng, J. L. Wu, C. C. Lin, J. F. Tang, S. Y. Chu, and Y. D. Juang, J. Disp. Technol. 11, 6 (2015).
• T. B. Singh, J. J. Jasieniak, L. de Oliveira Tozi, C. D. Easton, and M. Bown, IEEE Trans. Electron Devices 61, 1093 (2014).
• E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012).
• K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  多重 ,  活性層 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  O3