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J-GLOBAL ID：201802257206770869   整理番号：18A0819904

電気化学機械研磨における4H-SiC(0001)の初期酸化段階のAFM観察【JST・京大機械翻訳】

AFM Observation of Initial Oxidation Stage of 4H-SiC (0001) in Electrochemical Mechanical Polishing

著者 (4件)： Yang Xu (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Ohkubo Yuji (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Endo Katsuyoshi (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Yamamura Kazuya (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Procedia CIRP  (Procedia CIRP)
巻： 68  ページ： 735-740  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3527A  ISSN： 2212-8271  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶SiC(4H-SiC)は,その優れた電子的および熱的性質のため,有望な次世代半導体パワーデバイス材料である。電気化学機械研磨(ECMP)は,SiC表面を仕上げる有効な方法である。ECMPプロセスを用いて,SiCの表面が陽極酸化によって軟化し,次にソフトな研磨剤によって除去されるので,スクラッチフリーで表面下損傷(SSD)のない表面の実現が期待される。化学機械研磨(CMP)と比較して,ECMPはより高い材料除去率(MRR)とより低いコストを有する。しかし,陽極酸化過程において酸化物/SiC界面上に突起が発生する傾向があり,表面粗さを著しく増加させる。本研究では,原子間力顕微鏡(AFM)観察により4H-SiC(0001)の陽極酸化における酸化物層の生成過程を観察し,初期陽極酸化の機構を考察した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱特性 ,  研磨剤 ,  アノード酸化 ,  半導体 ,  酸化物 ,  *炭化ケイ素 ,  *化学機械研磨 ,  原子間力顕微鏡 ,  単結晶 ,  *酸化 ,  酸化層
準シソーラス用語： 材料除去率 ,  パワーデバイス ,  *原子間力顕微鏡法 ,  *電気化学機械研磨 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC ,  電気化学的機械研磨 ,  陽極酸化機構 ,  AFM観察

分類 (1件)： その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学機械研磨 ,  4H-SiC ,  初期 ,  酸化 ,  段階 ,  AFM観察