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J-GLOBAL ID：201802259140781373   整理番号：18A0174712

大面積加工基板上の厚いGaNエピタキシャル層の電熱評価とAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

Electrothermal evaluation of thick GaN epitaxial layers and AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on large-area engineered substrates

著者 (11件)： ANDERSON Travis J. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KOEHLER Andrew D. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  TADJER Marko J. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  HITE Jennifer K. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  NATH Anindya (George Mason Univ., VA, USA) ,  MAHADIK Nadeemullah A. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  AKTAS Ozgur (Qromis, Inc., CA, USA) ,  ODNOBLYUDOV Vladimir (Qromis, Inc., CA, USA) ,  BASCERI Cem (Qromis, Inc., CA, USA) ,  HOBART Karl D. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KUB Francis J. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 12  ページ： 126501.1-126501.3  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パワーHEMT構造に必要な厚いエピタキシャル層を維持しつつ,スケーラブルでコスト効率の高いファウンドリ処理への道を示すために,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)デバイス層を,商業的に加工されたQST(登録商標)基板上に有機金属化学蒸着(MOCVD)によって成長させた。150mmのSi基板上のHEMT構造も評価した。加工された基板上のHEMTは,HEMTon Siより優れた,材料品質,DC性能,およびフォワードブロッキング性能を示した。15μmまでのGaNデバイス層が,1μmの屈曲のあるウェハーで実証され,これは,今日までに,150mmの直径の基板上に低い屈曲で成長させた最も厚い膜である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *層 ,  *HEMT ,  *MOCVD ,  *曲げ ,  *原子間力顕微鏡 ,  特性
準シソーラス用語： GaN ,  *エピタキシャル層 ,  屈曲 ,  デバイス特性

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• D. Marcon, B. De Jaeger, S. Halder, N. Vranckx, G. Mannaert, M. Van Hove, and S. Decoutere, IEEE Trans. Semicond. Manuf. 26, 361 (2013).
• H. Fujikura and T. Konno, J. Cryst. Growth 475, 208 (2017).
• The U.S. Navy does not endorse specific companies or products.
• F. J. Kub and K. D. Hobart, U.S. Patent 6,328,796 (2001).
• F. J. Kub and K. D. Hobart, U.S. Patent 6,497,763 (2002).

タイトルに関連する用語 (7件)： 大面積 ,  GaN ,  エピタキシャル層 ,  電熱 ,  評価 ,  AlGaN ,  高電子移動度トランジスタ