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J-GLOBAL ID：201802259306695796   整理番号：18A1700628

改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析

著者 (5件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-146-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  転位【結晶】 ,  *フラックス法 ,  *漏れ電流 ,  ナトリウム ,  ファセット ,  *貫通転位 ,  エッチピット ,  原子間力顕微鏡 ,  光学顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  多光子励起顕微鏡 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 電流検出型原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： Na ,  フラックス ,  GaN ,  単結晶 ,  転位 ,  漏れ電流 ,  特性解析