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J-GLOBAL ID：201802259578946804   整理番号：18A0969015

Mn濃度に依存するMnドープZnSnAs_2薄膜の磁気相変化【JST・京大機械翻訳】

Magnetic phase change in Mn-doped ZnSnAs₂ thin films depending on Mn concentration

著者 (5件)： Uchitomi Naotaka (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Hidaka Shiro (School of Science, Osaka University, 1-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Saito Shin (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Asubar Joel T. (Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui 3-9-1 Bunkyo, Fukui-shi, Fukui 910-8507, Japan) ,  Toyota Hideyuki (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 16  ページ： 161566-161566-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mn濃度とCurie温度(T_C)との関係を,分子線エピタクシーによりInP基板上にエピタキシャル成長させたMnドープZnSnAs_2強磁性半導体について研究した。強磁性相において,(Zn,Mn,Sn)As_2薄膜のMn分布は7.2カチオンパーセント(cat)であった。3次元原子プローブトモグラフィを用いてMnを調べた。結果は,9.0at.%(at.%)の比較的高いMn濃度に広がる不均一分布を示した。常磁性相において,Mnドーピング濃度が約4catに増加すると,常磁性から強磁性への転移が334KのT_Cで鋭く起こることが分かった。%Mnは,(Zn,Mn,Sn)As_2における強磁性のための磁気パーコレーション閾値に対応する。有効Curie温度<T_C>は,不均一磁性半導体において理論的に計算されたそれらに実験的に得られたCurie温度を橋渡しすると考えられる。MnドープZnSnAs_2における磁性の挙動は,現在の枠組み内で3つの異なる相によって説明できる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  リン化インジウム ,  *ドーピング ,  Curie温度 ,  *マンガン ,  磁性 ,  MBE成長 ,  *相転移 ,  *薄膜 ,  磁性半導体 ,  強磁性 ,  三次元 ,  常磁性 ,  強磁性半導体
準シソーラス用語： 原子プローブトモグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mn ,  ドープ ,  薄膜 ,  磁気 ,  相変化