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J-GLOBAL ID：201802260426899024   整理番号：18A0442949

裏面TSVのための新しいICPプラズマエッチング【Powered by NICT】

Novel ICP Plasma Etching for Backside TSV

著者 (3件)： Sakuishi Toshiyuki (ULVAC, Inc. Institute of Semiconductor and Electronics Technologies, 1220-1 Suyama, Susono, Shizuoka, 410-1231, Japan) ,  Murayama Takahide (ULVAC, Inc. Institute of Semiconductor and Electronics Technologies, 1220-1 Suyama, Susono, Shizuoka, 410-1231, Japan) ,  Morikawa Yasuhiro (ULVAC, Inc. Institute of Semiconductor and Electronics Technologies, 1220-1 Suyama, Susono, Shizuoka, 410-1231, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPTC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 「雲とエッジ」計算したIoT社会を実現するために重要である。IoTデバイスはここ数年で急速に拡大することが期待される。IoTデバイスの数は2015年には二百四十二億であったが,2020年には五百三十億[1]であることを予測した。メガデータセンターでは,大量のデータを処理すると,そこで使用されているデバイスは,高速,低遅延と低消費電力が要求される技術革新が期待される,高性能CPUと貯蔵〔2-〕の3次元実装により実現されるであろう。最近,データセンターのための高性能S SDの需要は急速に増加しており,NANDフラッシュメモリの構造は,2Dから3Dに変化している。3次元メモリセルに加えて,TSVを用いた3Dチップ積層が重要である[3]エッジ計算のために,M2M/sensorモジュールのための3D不均一集積は鍵となる技術[4]であった。3D包装はIoT社会を実現するために不可欠な技術であり,による背面側はコストと信頼性の観点[5]から最も有効な手段である。ホタテガイ遊離エッチング[6]によるTSVプロセスを開発してきた。このように,本研究では,裏面TSVに焦点を当てたTSVプロセスとハードウェアを開発した。非Boschエッチングにおいて,エッチングと側壁保護を同時に行い,側壁保護に寄与するエッチングと酸素ラジカルに寄与するふっ素ラジカルの比はエッチング形状に大きく影響すること。周波数に依存して酸素比の差に焦点を当て,RF及びLFを組み合わせた新しいプラズマ源を開発した。形状である垂直またはテーパかどうかをこのプラズマ源はウエハの均一なエッチングを可能にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エッチング ,  二次元 ,  記憶素子 ,  データセンタ ,  プラズマ源 ,  *プラズマエッチング ,  高速度 ,  周波数 ,  信頼性 ,  酸素 ,  フッ素 ,  ラジカル ,  三次元
準シソーラス用語： 三次元実装 ,  モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： TSV ,  ICP ,  プラズマエッチング