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J-GLOBAL ID：201802260522699433   整理番号：18A2042251

三フッ化塩素ガスエッチング後の4H-炭化けい素ウエハ表面【JST・京大機械翻訳】

4H-Silicon Carbide Wafer Surface after Chlorine Trifluoride Gas Etching

著者 (6件)： Okuyama Shogo (Yokohama National University, Department of Chemical and Energy Engineering; Yokohama, Japan, 240-8501) ,  Kurashima Keisuke (Yokohama National University, Department of Chemical and Energy Engineering; Yokohama, Japan, 240-8501) ,  Nakagomi Ken (Yokohama National University, Department of Chemical and Energy Engineering; Yokohama, Japan, 240-8501) ,  Habuka Hitoshi (Yokohama National University, Department of Chemical and Energy Engineering; Yokohama, Japan, 240-8501) ,  Takahashi Yoshinao (Kanto Denka Kogyo Co., Ltd; Kanda Awaji-cho Chiyoda, Tokyo, Japan, 101-0063) ,  Kato Tomohisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST); 16-1 Onogawa, Tsukuba, Japan, 305-8569)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 369-372  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素の高エッチング速度反応器を開発するために,50mm直径のC面4H炭化ケイ素ウエハを,500°Cで三フッ化塩素ガスを用いてエッチングした。深いエッチングにより,計算により予測されたように,ガスディストリビュータのピンホール配列の半径に対応する位置に,同心状の円形の谷が形成された。4H-炭化ケイ素のエッチング速度プロフィルは,局所塩素三フッ化物ガス供給との関係を持つと結論した。ウエハは小さく,ウエハは非常に薄く,約160μmの厚さであった。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フッ化物 ,  ピンホール ,  反応器 ,  炭化ケイ素 ,  ディストリビュータ ,  *炭化 ,  *フッ化塩素
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 三フッ化塩素ガス ,  炭化ケイ素ドライエッチャー ,  エッチング速度プロファイル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： フッ化塩素 ,  エッチング ,  炭化けい素 ,  ウエハ