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J-GLOBAL ID:201802261410488541   整理番号:18A0718146

裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発

Single-crystalline GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate for Back-side Illuminated Near-infrared Image Sensor
著者 (7件):
資料名:
巻: 42  号: 10(IST2018 11-25)  ページ: 47-50  発行年: 2018年03月02日 
JST資料番号: S0209A  ISSN: 1342-6893  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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近赤外帯域(2-5μm)でのイメージング/センシングは暗視装置や環境測定,生体計測など様々な分野への応用が期待されている。IV族混晶であるGeSnはSn組成に応じてバンドギャップが縮小しカットオフ波長が1.55μm以上に長波長化することから,III-V族化合物に代わる近赤外受光材料として近年注目されている。本研究ではIV族ベースの高感度近赤外イメージセンサー実現に向け,レーザー溶融結晶化技術を用いて石英基板上に裏面照射型単結晶GeSnフォトダイオードアレイを作製したので報告する。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  光導電素子 

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