文献

J-GLOBAL ID：201802261690331529   整理番号：18A1699768

Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響

著者 (4件)： 谷口達彦 (大阪大 大学院) ,  成瀬延康 (滋賀医大) ,  山下雄一郎 (産業技術総合研) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-234B-10  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱伝導率 ,  *表面偏析 ,  超格子 ,  ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  性能指数 ,  *MBE成長 ,  半導体薄膜 ,  熱抵抗 ,  半導体超格子 ,  *シリコンゲルマニウム合金
準シソーラス用語： *SiGe合金 ,  熱電性能指数

分類 (2件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  RICH ,  SiGe ,  超格子 ,  界面 ,  偏析 ,  熱伝導率