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J-GLOBAL ID：201802262563185776   整理番号：18A1330574

ラジカル注入プラズマ増強化学気相成長法における非晶質炭素膜のsp²分率と解離したメチル密度に及ぼすCH₄/H₂のガス滞留時間の影響

Effects of gas residence time of CH₄/H₂ on sp² fraction of amorphous carbon films and dissociated methyl density during radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition

著者 (9件)： SUGIURA Hirotsugu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  JIA Lingyun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUTSUMI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HAYASHI Toshio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Keigo (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S2  ページ： 06JE03.1-06JE03.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ラジカル ,  *プラズマCVD ,  *炭素材 ,  *薄膜 ,  解離 ,  水素 ,  滞留時間 ,  *分子軌道 ,  プラズマ診断 ,  アルカン
準シソーラス用語： *プラズマ増強CVD ,  *非晶質炭素 ,  *炭素膜

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (25件)：

• N. Ohtake, T. Uchi, T. Yasuhara, and M. Takashima, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 090128 (2012).
• J. Robertson, Adv. Phys. 35, 317 (1986).
• M. Li, D. Liu, D. Wei, X. Song, D. Wei, and A. T. S. Wee, Adv. Sci. 3, 1600003 (2016).
• O. A. Williams, Diamond Relat. Mater. 20, 621 (2011).
• C. A. Hewett and J. R. Zeidler, Diamond Relat. Mater. 1, 688 (1992).

タイトルに関連する用語 (11件)： ラジカル ,  注入 ,  プラズマ ,  増強 ,  化学気相成長法 ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  解離 ,  密度 ,  H2 ,  滞留時間