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J-GLOBAL ID：201802263238409479   整理番号：18A1383622

W導入に伴う熱フィラメント化学蒸着によるダイヤモンド中の貫通転位の大きな減少【JST・京大機械翻訳】

Large reduction of threading dislocations in diamond by hot-filament chemical vapor deposition accompanying W incorporations

著者 (7件)： Ohmagari Shinya (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Yamada Hideaki (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Tsubouchi Nobuteru (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Umezawa Hitoshi (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Chayahara Akiyoshi (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Tanaka Shingo (Research Institute of Electrochemical Energy (RIECEN), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Mokuno Yoshiaki (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 3  ページ： 032108-032108-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体結晶中の転位は,それらの存在が典型的にデバイス性能を悪化させるので,可能な限り最小化される。ダイヤモンドエレクトロニクスは優れたデバイス特性を示したが,それらはそれらの材料限界をまだ満たしていない。デバイス性能をさらに改善するためには,低転位密度と高品質エピタキシャル層が必要である。本研究では,ダイヤモンド膜を,加熱金属ワイヤからのW取り込みを伴う熱フィラメント化学蒸着によりホモエピタキシャル成長させた。膜はシード基板より良好な結晶品質を示した。2×10~6から3×10~4cm-2への貫通転位の大きな減少を実証した。転位伝搬はW不純物により部分的に消滅した。転位還元後のSchottky障壁ダイオードの電気的性質は非常に均一で,整流作用を改善した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *ダイヤモンド ,  電気的性質 ,  Schottky障壁ダイオード ,  金属線 ,  整流 ,  *貫通転位 ,  転位密度 ,  電子技術 ,  HOMO ,  不純物 ,  結晶品質 ,  ダイヤモンド膜 ,  エピタキシャル層 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱フィラメント化学蒸着 ,  ダイヤモンド ,  貫通転位