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J-GLOBAL ID:201802265402727446   整理番号:18A2105527

結晶Si上のTiOx不動態化層の活性化機構

Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si
著者 (8件):
資料名:
巻: 11  号: 10  ページ: 102301.1-102301.4  発行年: 2018年10月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Siヘテロ接合太陽電池に対する理想的なバンド配列と低いキャリア再結合を有する優れた電子選択的接触と見なされる,結晶シリコン(c-Si)上への原子層堆積により調製した酸化チタン(TiOx)の活性化機構を報告した。表面不動態化の活性化エネルギーは約0.37eVであり,これはTiOx/c-Si界面における化学結合状態の顕著な変換と関連していることを示した。詳細な解析により,Si-O結合は,界面でのSi-HおよびSi-H2結合の解離および酸素原子によるその後の終端により,ポストアニーリング後に形成されることを確認した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  表面の電子構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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