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J-GLOBAL ID：201802266106383225   整理番号：18A1260690

急峻な界面を持つSiO_2/GaN構造におけるキャリア伝導【JST・京大機械翻訳】

Carrier conduction in SiO₂/GaN structure with abrupt interface

著者 (9件)： Truyen Nguyen Xuan (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Taoka Noriyuki (GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Ohta Akio (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Yamada Hisashi (GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Takahashi Tokio (GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Ikeda Mitsuhisa (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Makihara Katsunori (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Shimizu Mitsuaki (GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan) ,  Miyazaki Seiichi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力デバイス,論理,駆動,および保護回路を有するモノリシックGaN電力集積回路(IC)は,将来の低電力消費電力ICのための候補システムである。高品質GaN MOS界面の形成は,GaNパワーICを実現するためのキーである。SiO_2/GaN構造の良好な界面特性は既に報告されているが,SiO_2/GaN構造は明らかな界面Ga酸化物層を有している。他方では,明らかな界面層のないSiO_2/GaN界面と低い界面トラップ密度(D_it)[2]を形成することを確立した。しかし,急峻な界面を持つSiO_2/GaN構造におけるキャリア伝導はまだ研究されていない。本研究では,GaN表面上の遠隔酸素プラズマ増強CVD(ROPE-CVD)により形成されたSiO_2層における電流密度(J)対酸化物場(E_ox)の特性を,GaNとSi MOSキャパシタ間のJ-E_ox特性の比較により調べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  *窒化ガリウム ,  電力 ,  酸化ガリウム ,  集積回路 ,  *界面 ,  電流密度
準シソーラス用語： 二層 ,  酸素プラズマ ,  界面トラップ ,  界面層 ,  界面特性 ,  保護回路 ,  パワーデバイス ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  GaN ,  キャリア ,  伝導