MATSUMOTO Tsubasa について
Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN について
MATSUMOTO Tsubasa について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
KATO Hiromitsu について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
MAKINO Toshiharu について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
OGURA Masahiko について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
TAKEUCHI Daisuke について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
YAMASAKI Satoshi について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
IMURA Masataka について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
UEDA Akihiro について
Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN について
INOKUMA Takao について
Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN について
TOKUDA Norio について
Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN について
TOKUDA Norio について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
薄膜コンデンサ について
ダイヤモンド について
P型半導体 について
キャリア注入 について
電子 について
静電容量 について
MOSFET について
状態密度 について
原子層エピタクシー について
MOSコンデンサ について
反転容量 について
界面状態密度 について
トランジスタ について
電子注入 について
ダイヤモンド について
MOSキャパシタ について
反転 について