文献

J-GLOBAL ID：201802267196724704   整理番号：18A1646037

ナノメートルSiのscallo状フィン配列の形成に及ぼすハードマスクプロファイルの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays

著者 (15件)： Zhang Qingzhu (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Zhang Qingzhu (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Tu Hailing (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Yin Huaxiang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Yin Huaxiang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wei Feng (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Li Junjie (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Meng Lingkuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Zhang Zhaohao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Yan Jiang (College of Electronic and Information Engineering, North China University of Technology, Beijing 100144, China) ,  Zhao Hongbin (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Ma Tongda (National Center of Analysis and Testing for Non-ferrous Metals & Electronic Materials, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Zhou Zhangyu (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China) ,  Fan Yanyan (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Du Jun (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 198  ページ： 48-54  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,反応性イオンエッチング(RIE)によるナノメータスカラップフィン(S-フィン)に及ぼすハードマスク(HMs)プロファイルの影響を広範囲に研究した。新しく開発された時間分割多重化(TDM)エッチングプロセスを用いることにより,Sフィンアレイの形成のために,通常のFinFET大量製造から生じる一般的なスペーサ画像転送(SIT)プロセスを採用した。鋭いコーナーを有するより高いスペーサHMsは非対称Sフィンをもたらすことが観察された。この現象を説明し,望ましいSフィンプロファイルを達成するために,厳しい非対称Sフィンを引き起こす可能な機構を最初に提案した。これは,RIE過程の間に非伝導性の高いスペーサ上に蓄積された負電荷が,Sフィンの非対称プロファイルの形成に重要な役割を果たすことを示唆している。提案したスキームに基づく有効なアプローチを,スペーサHMsの高さを低減することにより実証した。これは,エッチングプロセスの同時性を改善し,望ましいノッチをもつ対称Sフィンプロファイルを達成し,3つの垂直積層SiNWアレイを得た。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非対称性 ,  RIE【エッチング】 ,  ナノワイヤ ,  同時性 ,  対称性 ,  *フィン ,  帯電 ,  多重化 ,  切欠き ,  大量生産 ,  *ケイ素 ,  エッチング ,  スペーサ
準シソーラス用語： FinFET ,  *ハードマスク , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Si Scallped-Fin ,  Siナノワイヤ(SINWS) ,  非対称ハードマスク ,  無秩序ノッチ ,  電荷蓄積 ,  時間分割多重化(TDM)エッチング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  フィン