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J-GLOBAL ID:201802268436326438   整理番号:18A1212135

電気化学蒸着Bi2Te3およびSb2Te3熱電材料の厚膜の合成と評価【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and Evaluation of Thick Films of Electrochemically Deposited Bi2Te3 and Sb2Te3 Thermoelectric Materials
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 154  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7237A  ISSN: 1996-1944  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,熱電発電機などの用途に使用できる厚い熱電膜の合成と評価の結果を示した。N型テルル化ビスマス(Bi2Te3)とP型テルル化アンチモン(Sb2Te3)の両方に対する改良技術による2種類の電気化学堆積法,一定およびパルス蒸着を行い,比較した。結果として,バルク状構造をもつ高度に配向したBi2Te3およびSb2Te3厚膜を,高いSeebeck係数および低い電気抵抗率で合成することに成功した。6個の100μm厚のBi2Te3と500μm厚のSb2Te3膜を得た。Bi2Te3及びSb2Te3膜のSeebeck係数はそれぞれ-150±20及び170±20μV/Kであった。さらに,Bi2Te3に対する電気抵抗率は15±5μΩmであり,Sb2Te3に対して25±5μΩmである。各熱電材料の力率は,Bi2Te3では15×10-4W/mK2,Sb2Te3では11.2×10-4W/mK2に達した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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熱電デバイス 
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