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J-GLOBAL ID：201802269580371080   整理番号：18A0174687

3次元AlGaN量子井戸を用いた多色紫外発光ダイオードの開発

Development of polychromatic ultraviolet light-emitting diodes based on three-dimensional AlGaN quantum wells

著者 (4件)： KATAOKA Ken (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KATAOKA Ken (USHIO Inc., Hyogo, JPN) ,  FUNATO Mitsuru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 12  ページ： 121001.1-121001.4  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,3次元(3D)AlGaN量子井戸(QW)を用いた,電気駆動される発光ダイオード(LED)からの多色紫外線(UV)を紹介する。LED構造は,(0001)ファセット,{1<span style=text-decoration:overline>1</span>01}ファセット,および隣接する(0001)ファセットから構成されるAlN上に形成された。その後のn-AlGaN成長はステップバンチングを排除する傾向があるが,成長手順の適切な設計は,LED構造においてさえ,AlNの3D構造を保持した。(0001)ファセット上のQWおよび束ねられたステップは異なる色を放出するので,製造されたLEDは多色深紫外線放射を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  *多色性 ,  ファセット ,  表面ステップ
準シソーラス用語： *紫外発光ダイオード

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (24件)：

• A. Khan, K. Balakrishnan, and T. Katona, Nat. Photonics 2, 77 (2008).
• C. Pernot, M. Kim, S. Fukahori, T. Inazu, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano, Appl. Phys. Express 3, 061004 (2010).
• M. Shatalov, W. Sun, A. Lunev, X. Hi, A. Dobrinsky, Y. Bilenko, J. Yang, M. Shur, R. Gaska, C. Moe, G. Garrett, and M. Wraback, Appl. Phys. Express 5, 082101 (2012).
• J. R. Grandusky, J. Chen, S. R. Gibb, M. C. Mendrick, C. G. Moe, L. Rodak, G. A. Garrett, M. Wraback, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Express 6, 032101 (2013).
• H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyoda, and N. Kamata, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100209 (2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： 3次元 ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  多色 ,  紫外発光ダイオード ,  開発