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J-GLOBAL ID：201802270216614888   整理番号：18A0776656

次世代パワーデバイス用SiC基板の研磨技術

Polishing Technique of Next-Generation Power Semiconductor SiC Substrate

著者 (1件)： 佐野泰久 (大阪大学大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 84  号： 3  ページ： 217-220(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・限られた電力を有効に活用するため,インバータ等の電力変換装置のさらなる低損失化が望まれている。現在,電力変換回路にはスイッチング素子としてシリコン(Si)IGBTが主として使用。
・Si IGBTはその登場以来,微細化技術等によって低損失化を達成してきたが,近年その限界を迎えつつあり,新たなパワーデバイス用半導体材料として炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった禁制帯幅の大きなワイドギャップ半導体材料を注目.
・本稿では,SiC基板の加工技術,特に新しい研磨技術に注目し,筆者らの取り組みも交えて紹介。
・著者らのグループでは,触媒表面上においてのみ起こる化学反応によって被加工物表面原子を溶液中へと溶解させる,触媒表面基準エッチング法を考案,開発。
・プラズマ中においてSiCがフッ素ラジカルによってエッチングされることに着目し,触媒表面上での解離吸着を期待してフッ化水素酸(HF)を溶液として用い,HF中でも化学的に安定な白金定盤に対して4H一SiC(0001)on-axis基板を接触・相対運動させた。その結果,加工速度は遅いものの,白金定盤と接触するSiC基板表面の凸部から選択的にエッチングが進行し,原子レベルで平坦な表面を達成。

シソーラス用語： パワーエレクトロニクス ,  *半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  基板 ,  半導体 ,  平坦性 ,  *化学機械研磨 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  触媒 ,  エピタクシー ,  プラズマエッチング

著者キーワード (10件)： silicon carbide ,  polishing ,  backside thinning ,  power device ,  wide-gap semiconductor ,  silicon carbide ,  polishing ,  backside thinning ,  power device ,  wide-gap semiconductor

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (36件)：

• 1) 例えば,松波弘之,大谷昇,木本恒暢,中村孝編著:半導体SiC技術と応用第2版,日刊工業新聞社,(2011).
• 2) 三菱電機:http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2012/pdf/0927-b.pdf,(2012).
• 3) 福島隆文:SiCデバイスを採用したN700S新幹線電車駆動システムの開発,応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会予稿集(2017)7-8(OI-2).
• 4) トヨタ自動車:新素材SiCパワー半導体搭載車両の公道走行を開始,https://newsroom.toyota.co.jp/jp/detail/5725437,(2015)
• 5) N. Kuroda et al. : Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Device and Materials, (1987) 227.

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  パワーデバイス ,  SiC基板 ,  研磨