文献

J-GLOBAL ID：201802275135842941   整理番号：18A0755159

Cu(In,Ga)Se_2太陽電池性能におけるCu欠乏層形成の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Cu-deficient layer formation in Cu(In,Ga)Se₂ solar-cell performance

著者 (6件)： Nishimura Takahito (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Nishimura Takahito (Research Fellow of Japan Society for the Promotion of Science, Kojimachi Business Center Building, 5-3-1 Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo, 102-0083, Japan) ,  Toki Soma (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Sugiura Hiroki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Nakada Kazuyoshi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Yamada Akira (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 26  号： 4  ページ： 291-302  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)上のCu欠乏層(CDL)はCdSバッファ層からのCd拡散を促進し,CDLとCIGSの間に価電子帯オフセット(ΔE_V)を形成する。実験と理論シミュレーションにより,CIGS太陽電池の性能に及ぼすCDL形成の影響を定量的に実証した。CDLによるCd拡散とΔE_Vの影響を調べるために,CdS/CIGS界面でCDLをシミュレートした表面層を持つCIGS太陽電池に対して理論解析を行った。n型表面層における電子濃度がCIGS吸収体(N_D>|N_A,CIGS|)における絶対キャリア濃度より高いとき,開回路電圧と充填因子が改良されることを明らかにした。さらに,ΔE_V≧0.15eVは界面再結合の抑制により最高の開回路電圧をもたらした。透過型電子顕微鏡エネルギー分散X線分光法と走査拡散抵抗顕微鏡を,3段階プロセスにより作製したCIGS太陽電池の同じ断面に対して用いた。表面上に形成された0.31のCu/(Ga+In)を有するCDLは3.4at%の高いCd含有量を有していたが,そのキャリア濃度4.8×10~10cm-3はCd原子の不十分な活性化のために粒内の10~14~10~16cm~3より低かった。これらの結果は,0.31の低Cu/(Ga+In)によるCDLの導入によるΔE_V形成の有効性を示し,表面CdドーピングによるN_D>|N_A,CIGS|の実現におけるCIGS太陽電池性能と困難性を高めた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表層 ,  シミュレーション ,  ドーピング ,  *空乏層 ,  再結合 ,  硫化カドミウム ,  *銅 ,  界面 ,  キャリア密度 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  カドミウム ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  CIGS太陽電池 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CD拡散 ,  黄銅鉱 ,  Cu欠乏 ,  Cu(InGa)Se2 ,  界面 ,  価電子帯

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  欠乏層