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J-GLOBAL ID：201802276654472368   整理番号：18A0911019

4H-SIC p-i-nダイオードのフォワード-電流劣化における単一Shockley型積層欠陥の拡張に及ぼす基底面転位構造の影響

Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p-i-n diodes

著者 (15件)： HAYASHI Shohei (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HAYASHI Shohei (Toray Res. Center Inc., Otsu, JPN) ,  YAMASHITA Tamotsu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMASHITA Tamotsu (Showa Denko K.K., Tokyo, JPN) ,  SENZAKI Junji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYAZATO Masaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYAZATO Masaki (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  RYO Mina (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  RYO Mina (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Masaaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYAJIMA Masaaki (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KATO Tomohisa (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YONEZAWA Yoshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA Kazutoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FR07.1-04FR07.6  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *PIN接合 ,  *ダイオード ,  *積層欠陥 ,  ホモエピタクシー ,  キャリア注入 ,  貫通転位 ,  X線トポグラフィー ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  Shockley型積層欠陥

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  ダイオード ,  積層欠陥 ,  拡張 ,  基底面転位