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J-GLOBAL ID：201802276879076193   整理番号：18A1550127

位相差顕微鏡による4H-SiCのエピタキシャル層における貫通転位の光学的識別

Optical discrimination of threading dislocations in 4H-SiC epitaxial layer by phase-contrast microscopy

著者 (6件)： HATTORI Ryo (Ceramic Forum Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  HATTORI Ryo (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  OKU Osamu (Micro-world Serv., Tokyo, JPN) ,  SUGIE Ryuichi (Toray Res. Center Inc., Otsu, JPN) ,  MURAKAMI Kazutsugu (Ceramic Forum Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 7  ページ： 075501.1-075501.3  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で採用した光学系を用いた位相差顕微鏡によるSiCエピタキシャル層における貫通螺旋転位と貫通刃状転位の優れた非破壊識別可能性を,従来の偏光顕微鏡,フォトルミネセンストポグラフィーおよびKOHエッチングによって得られた結果と実験結果を比較することによって実証した。位相差顕微鏡は,貫通転位の非破壊識別に関して偏光顕微鏡よりも効果的であることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *位相差顕微鏡 ,  *貫通転位 ,  *螺旋転位 ,  *刃状転位 ,  偏光顕微鏡 ,  トポグラフィー【形態】 ,  エッチング ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *認識 ,  水酸化カリウム ,  エピタキシャル層 ,  非破壊方法
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  フォトルミネセンス

分類 (1件)： 格子欠陥の観察・実験技術  (BK12020U)

引用文献 (32件)：

• J. Singh, A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, T. P. Chow, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 49, 665 (2002).
• T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• S. H. Ryu, C. Capell, C. Jonas, M. J. O'Loughlin, J. Clayton, E. van Brunt, K. Lam, J. Richmond, A. Kadavelugu, S. Bhattacharya, A. A. Burk, A. Agarwal, D. Grider, S. T. Allen, and J. W. Palmour, Mater. Sci. Forum 778-780, 1030 (2014).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• N. Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang, and T. P. Ma, Phys. Status Solidi A 188, 213 (2001).

タイトルに関連する用語 (6件)： 位相差顕微鏡 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  貫通転位 ,  光学 ,  識別